High Aspect Ratio Junction Formation Through Gas Phase Doping

WO2024242885 Art A1 28. November 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024242885
Aktenzeichen: EP24811597
Anmeldetag: 9. Mai 2024
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/223H01L21/02H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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