Inhibited Atomic Layer Deposition in Trench Features

WO2024243143 Art A1 28. November 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024243143
Aktenzeichen: EP24811736
Anmeldetag: 20. Mai 2024
Veröffentlichung: 28. November 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/762C23C16/455C23C16/40C23C16/34C23C16/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von