Gate all around (gaa) transistor device having u-shaped gate at bottom and manufacturing method, and apparatus and manufacturing method

WO2024243845 Art A1 5. Dezember 2024

Anmelder: FUDAN UNIVERSITY, SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024243845
Aktenzeichen: EP23938839
Anmeldetag: 31. Mai 2023
Veröffentlichung: 5. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: FUDAN UNIVERSITY
SHANGHAI INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURING INNOVATI
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

581 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von