Feature point-based electron beam lithography proximity effect pattern correction method

WO2024244491 Art A1 5. Dezember 2024

Anmelder: SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, SHENZHEN INTERNATIONAL QUANTUM ACADEMY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024244491
Aktenzeichen: EP24813697
Anmeldetag: 16. Januar 2024
Veröffentlichung: 5. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
SHENZHEN INTERNATIONAL QUANTUM ACADEMY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southern University of Science and Technology

Die Southern University of Science and Technology ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China. Ihr Patentportfolio verteilt sich breit über Software, Halbleitertechnik, Messtechnik, Medizintechnik und organische Chemie und spiegelt ein multidisziplinäres Forschungsprofil wider. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2015 bis 2025.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von