Vertically integrated transistors and method

WO2024246707 Art A1 5. Dezember 2024

Anmelder: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇸🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024246707
Aktenzeichen: EP24814712
Anmeldetag: 24. Mai 2024
Veröffentlichung: 5. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L27/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇸🇦 Saudi-Arabien

🇸🇦 KAUST

Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.

956 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von