Substrat mit einer Dicken Vergrabenen Dielektrischen Schicht und Verfahren zur Herstellung eines Solchen Substrats

WO2024251417 Art A1 12. Dezember 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024251417
Aktenzeichen: EP24718481
Anmeldetag: 11. April 2024
Veröffentlichung: 12. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von