Transistor, Verfahren zur Herstellung davon und Integrierte Schaltung
WO2024252799
Art A1
12. Dezember 2024
Anmelder: Tohoku University, National Institute of Information and Communications Technology, SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2024252799
- Aktenzeichen
- EP24819037
- Anmeldetag
- 18. April 2024
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2024
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tohoku University
National Institute of Information and Communications Technology
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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