Precursor for forming low dielectric constant silicon-containing thin film and method for forming low dielectric constant silicon-containing thin film using same

WO2024253412 Art A1 12. Dezember 2024

Anmelder: SK TRI CHEM CO., LTD., SK HYNIX INC. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024253412
Aktenzeichen: EP24819563
Anmeldetag: 4. Juni 2024
Veröffentlichung: 12. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C07F7/08C23C16/34C23C16/40C23C16/46C23C16/505H01L21/02H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: SK TRI CHEM CO., LTD.
SK HYNIX INC.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

136 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Organische Chemie

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen