Halbleiterbauelement mit durch Atomlagenabscheidung Geformten Verbindungen

WO2024253899 Art A1 12. Dezember 2024

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024253899
Aktenzeichen: EP24819796
Anmeldetag: 28. Mai 2024
Veröffentlichung: 12. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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