Gallium nitride power device and preparation method therefor

WO2024255395 Art A1 19. Dezember 2024

Anmelder: SOUTHEAST UNIVERSITY, CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024255395
Aktenzeichen: EP24822350
Anmeldetag: 1. April 2024
Veröffentlichung: 19. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/205H01L21/335H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SOUTHEAST UNIVERSITY
CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von