Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

WO2024257580 Art A1 19. Dezember 2024

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024257580
Aktenzeichen: EP24823202
Anmeldetag: 23. Mai 2024
Veröffentlichung: 19. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C23C16/458C30B25/12H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von