Method of forming boron-containing thin films and devices made thereof

WO2024258350 Art A1 19. Dezember 2024

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024258350
Aktenzeichen: EP24823815
Anmeldetag: 14. Juni 2024
Veröffentlichung: 19. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/22H01L21/205H01L31/0288H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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