Method to reduce defects post-sequential infiltration synthesis

WO2024258784 Art A1 19. Dezember 2024

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024258784
Aktenzeichen: EP24823973
Anmeldetag: 10. Juni 2024
Veröffentlichung: 19. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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