Selective etch of a stack with a carbon containing mask

WO2024263467 Art A1 26. Dezember 2024

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2024263467
Aktenzeichen: EP24826485
Anmeldetag: 12. Juni 2024
Veröffentlichung: 26. Dezember 2024
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/033H01L21/02H01L21/311H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von