Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Übertragung einer Piezoelektrischen Schicht auf ein Trägersubstrat

WO2025003091 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025003091
Aktenzeichen: EP24733990
Anmeldetag: 25. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N30/072H10N30/073H03H3/007

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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