Epitaxial silicon carbide substrate, method for producing epitaxial silicon carbide substrate, and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2025004787 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025004787
Aktenzeichen: EP24831654
Anmeldetag: 11. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B33/00H01L21/66H01L21/304H10D30/01H10D62/80H10D30/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

4.812 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von