Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

WO2025004788 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025004788
Aktenzeichen: EP24831655
Anmeldetag: 11. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/66H10D30/01H10D62/80H10D30/60H10D12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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