Silicon single crystal manufacturing device
WO2025004850
Art A1
2. Januar 2025
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025004850
- Aktenzeichen
- EP24831715
- Anmeldetag
- 14. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.180 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.