Self-aligned memory cell with replacement metal gate vertical access transistor and stacked 3d capacitors

WO2025005978 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025005978
Aktenzeichen: EP23943931
Anmeldetag: 21. November 2023
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B53/20H10B53/30H10B53/10H10N97/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von