Thin hafnium-zirconium oxide films having large grain size for ferroelectric capacitors

WO2025005979 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025005979
Aktenzeichen: EP23943932
Anmeldetag: 21. November 2023
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N97/00H10B53/30H10B53/20G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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