Halbleiteranordnung mit Stickstoffdotierter Dielektrischer Feldentlastungsschicht
WO2025005996
Art A1
2. Januar 2025
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025005996
- Aktenzeichen
- EP23943944
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/60H10D48/00H10D62/10H10D62/17H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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