Thermal generation of radical species for selective etching of silicon germanium or silicon nitride relative to silicon

WO2025006215 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025006215
Aktenzeichen: EP24832685
Anmeldetag: 14. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01J37/32H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von