Bottom-up gap fill processes for semiconductor substrates

WO2025006364 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025006364
Aktenzeichen: EP24832744
Anmeldetag: 24. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/285H01L21/768H01L21/02H01L21/67H01L21/677

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.780 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von