Enabling Selective Deposition Of Tantalum Nitride Barrier in Beol Vias

WO2025006608 Art A1 2. Januar 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025006608
Aktenzeichen: EP24832861
Anmeldetag: 26. Juni 2024
Veröffentlichung: 2. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/67H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von