N-polarity schottky barrier diode, and preparation method and use therefor

WO2025007962 Art A1 9. Januar 2025

Anmelder: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025007962
Aktenzeichen: EP24835440
Anmeldetag: 5. Juli 2024
Veröffentlichung: 9. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D8/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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