Method for manufacturing magnetic storage element

WO2025009492 Art A1 9. Januar 2025

Anmelder: JSR CORPORATION, THE UNIVERSITY OF TOKYO 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025009492
Aktenzeichen: EP24836005
Anmeldetag: 1. Juli 2024
Veröffentlichung: 9. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B61/00H01L21/3205H01L21/768H10N50/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: JSR CORPORATION
THE UNIVERSITY OF TOKYO
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

3.350 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von