Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2025010777
Art A1
16. Januar 2025
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025010777
- Aktenzeichen
- EP23944789
- Anmeldetag
- 2. August 2023
- Veröffentlichung
- 16. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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