Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Einkristallinem Silizium
WO2025016757
Art A1
23. Januar 2025
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025016757
- Aktenzeichen
- EP24742219
- Anmeldetag
- 5. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B15/20C30B15/30C30B29/06C30B30/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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