Nitride semiconductor device
WO2025018137
Art A1
23. Januar 2025
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025018137
- Aktenzeichen
- EP24842931
- Anmeldetag
- 1. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/47
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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