N-type diamond mosfet and method for manufacturing same
WO2025018165
Art A1
23. Januar 2025
Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025018165
- Aktenzeichen
- EP24842958
- Anmeldetag
- 4. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10D30/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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