Method for manufacturing magnetic tunnel junction element

WO2025018305 Art A1 23. Januar 2025

Anmelder: JSR CORPORATION, THE UNIVERSITY OF TOKYO 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025018305
Aktenzeichen: EP24843095
Anmeldetag: 12. Juli 2024
Veröffentlichung: 23. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11G03F7/40H10B61/00H10N50/01H10N50/10H10N50/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: JSR CORPORATION
THE UNIVERSITY OF TOKYO
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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