Method for preparing high-crystalline ii-v nanocrystal, ii-v nanocrystal prepared thereby and field-effect transistor comprising same
WO2025018744
Art A1
23. Januar 2025
Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025018744
- Aktenzeichen
- EP24843460
- Anmeldetag
- 15. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 23. Januar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B7/14C30B29/10C09K11/74C09K11/75H10D62/10H10D62/80
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)
Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.
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