Method for preparing high-crystalline ii-v nanocrystal, ii-v nanocrystal prepared thereby and field-effect transistor comprising same

WO2025018744 Art A1 23. Januar 2025

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2025018744
Aktenzeichen
EP24843460
Anmeldetag
15. Juli 2024
Veröffentlichung
23. Januar 2025
Rechtsraum
WO
IPC
C30B7/14C30B29/10C09K11/74C09K11/75H10D62/10H10D62/80
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

358 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen