Deposition of metal-containing films using halogen-containing activator molecules

WO2025019214 Art A1 23. Januar 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025019214
Aktenzeichen: EP24843700
Anmeldetag: 9. Juli 2024
Veröffentlichung: 23. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/67H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von