Methods of selectively etching silicon nitride

WO2025019392 Art A1 23. Januar 2025

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025019392
Aktenzeichen: EP24843798
Anmeldetag: 15. Juli 2024
Veröffentlichung: 23. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3105H01L21/768H01L21/02H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von