Gemeinsamer Source/drain-Kontakt für Gestapelte Transistoren

WO2025021482 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025021482
Aktenzeichen: EP24740153
Anmeldetag: 8. Juli 2024
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/43H10D62/10H10D88/00H10D84/40H10D64/23H10D84/03

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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