Oxide semiconductor layer, method for manufacturing oxide semiconductor layer, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

WO2025022294 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025022294
Aktenzeichen: EP24844965
Anmeldetag: 22. Juli 2024
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/67H01L21/28H01L21/203H01L21/205H10D30/01H10D84/03H10D84/00H10D84/40H10D84/83H10D64/23H10D30/69H10B12/00H10B41/70H10B53/20H10K59/131H10K71/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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