Silicon carbide semiconductor device, and method for producing same

WO2025022836 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025022836
Aktenzeichen: EP24845218
Anmeldetag: 6. Juni 2024
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/60H10D8/01H10D30/01H10D62/80H10D8/00H10D8/50H10D8/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von