3d capacitorless dram device and manufacturing method thereof

WO2025023375 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025023375
Aktenzeichen: EP23946800
Anmeldetag: 23. Oktober 2023
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D84/83

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul National University R&DB Foundation

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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