Precursor for forming low-k thin film and method for forming low-k silicon-containing thin film using same

WO2025023483 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: SK TRI CHEM CO., LTD., SK HYNIX INC. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025023483
Aktenzeichen: EP24845787
Anmeldetag: 5. Juni 2024
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: C07F7/18C23C16/455C23C16/40C23C16/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SK TRI CHEM CO., LTD.
SK HYNIX INC.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Organische Chemie

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