Semiconductor device having a doped region underlying a gate layer and in a barrier layer

WO2025024005 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025024005
Aktenzeichen: EP23946894
Anmeldetag: 29. Dezember 2023
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D30/47H10D48/00H10D62/85H10D62/60

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.305 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von