Molybdenum metallization and fill techniques for logic and memory

WO2025024731 Art A1 30. Januar 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025024731
Aktenzeichen: EP24846540
Anmeldetag: 25. Juli 2024
Veröffentlichung: 30. Januar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/50H10B43/50H01L21/768

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von