Se-based gate transistor material and preparation method therefor, and gate transistor unit

WO2025025407 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025025407
Aktenzeichen: EP23947345
Anmeldetag: 16. November 2023
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10N70/00H10N70/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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