Vertical semiconductor device with a gate electrode structure having lateral protrusions and method for producing the semiconductor device

WO2025026593 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025026593
Aktenzeichen: EP24725362
Anmeldetag: 14. Mai 2024
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10D62/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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