Detachable semiconductor substrate made of polycrystalline silicon carbide

WO2025026895 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025026895
Aktenzeichen: EP24749181
Anmeldetag: 25. Juli 2024
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C30B33/06H01L21/762H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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