Memory device including hafnium or zirconium oxide containing blocking dielectric and tungsten nitride barrier and methods of forming the same

WO2025029358 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025029358
Aktenzeichen: EP24849768
Anmeldetag: 24. Mai 2024
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/35H10B43/27H10B43/10H10B43/50H10D48/00H10D48/34H10D64/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von