Verbinder mit Niedrigem Widerstand und Verbessertem Aspektverhältnis für eine Halbleiteranordnung

WO2025029460 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025029460
Aktenzeichen: EP24849803
Anmeldetag: 13. Juli 2024
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/065H01L25/18H10B80/00H01L23/48H01L25/00H01L23/528H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von