Methods of forming electronic devices having a strained transistor channel
WO2025029794
Art A1
6. Februar 2025
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025029794
- Aktenzeichen
- EP24849980
- Anmeldetag
- 30. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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