Methods to improve thermal stability and film cracking margin for low temperature high tensile silicon nitride thin films

WO2025029888 Art A1 6. Februar 2025

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025029888
Aktenzeichen: EP24850036
Anmeldetag: 31. Juli 2024
Veröffentlichung: 6. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/02C23C16/34C23C16/455C23C16/505H01L23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von