Semiconductor device and manufacturing method therefor, and storage system
WO2025030270
Art A1
13. Februar 2025
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2025030270
- Aktenzeichen
- EP23947857
- Anmeldetag
- 4. August 2023
- Veröffentlichung
- 13. Februar 2025
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10B53/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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