Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and three-dimensional memory

WO2025030343 Art A1 13. Februar 2025

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2025030343
Aktenzeichen: EP23947924
Anmeldetag: 7. August 2023
Veröffentlichung: 13. Februar 2025
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/35H10B43/35

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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